总部落户天津高新区，更名为：青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司

发布全球首台自主研发 C2W&W2W 双模式 SAB8210CWW 设备，引领异质集成技术方向

异质集成设备二期产线投产，年产能超百台，交付能力大幅提升

常温键合与12寸热压键合设备获海内外头部客户批量导入，成功进入全球市场并实现多领域应用

12寸 TCB 键合设备交付及超原子束设备自主研发成功，支撑先进封装需求并完成核心工艺从0到1突破

常温键合装备获评国家颠覆性技术创新重点专项，并成为全国首批六大标杆项目之一

新材料与工艺全链突破：SiC、LNOI、POI衬底实现量产并达国际先进水平；金刚石Smart-Cut国内率先突破；Dual LNOI、GeOI 等新工艺开发成功

整线方案获头部客户订单，实现“材料—工艺—装备”闭环落地

键合设备实现批量销售，全年订单超3亿元

推出8寸LTOI、LNOI与6寸SiCOI等先进复合衬底材料产品，并实现国际业务突破

6-8寸SiC复合衬底获得重大突破，相关成果在微电子领域顶级会议IEDM发布

获批博士后工作站

荣获2024年高新企业称号

承担国家自然科学基金委重大科研仪器项目

完成B+、B++轮融资，增资超2亿元

推出SAB 82系列、SAB 62HB系列高精度混合键合设备，扩展Chiplet等先进封装业务

推出SAB 95系列超原子束装备，布局原子级制造业务

天津SiC键合衬底产线通线

入选省部级“专精特新”企业

荣获全国博士后创新创业大赛金奖

完成B轮融资 增资超2亿元

推出SAB 83系列、SAB 63系列、SAB 64系列等多款高端键合设备

推出LTOI、LNOI等6寸先进复合衬底材料产品

收购日本常温键合设备公司，布局海外业务

完成A+、A++轮融资 增资超3亿元

键合衬底材料事业部设立，开始先进复合衬底研发

国内首台常温键合设备完成交付，填补行业空白

完成Pre-A、PreA+轮融资，增资近2亿元

青禾晶元集团母公司成立，同年异质集成设备事业部成立

获得天使轮融资