技术优势
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- 常温键合工艺
- 采用常温键合技术，全过程无需加热，避免热应力影响，完美兼容2-12英寸Si、SiC、GaN等热敏感材料。
01
- 高强度键合界面
- 通过表面活化与超高真空技术，实现高强度键合（≥1.5 J/m²@Si-Si键合）。键合界面洁净无氧化，展现出卓越的界面质量和长期可靠性。
02
- 精密工艺控制
- 配备高精度对准系统，可实现微米的键合精度。结合±1%的精密度压力控制，确保工艺一致性和稳定性。
03 -
- 稳定量产能力
- 采用全自动化传输系统，在保持高精度的同时实现≥12 pairs/h的稳定产能，充分满足工业化量产需求。
04
典型键合材料
- Si-Si/Ge
- Si-SiC
- 金属-金属
- 蓝宝石-蓝宝石
- SiC-GaN
- SiC-SiC
- LT/LN-Si/SiC
- LT/LN-SP
- InP-SiC
- InP-GaAs
- 激光晶体-激光晶体
- GaN-金刚石
- 玻璃-玻璃
- SiO₂-SiO₂
- SiC-Ga₂O₃
- Si-金刚石
