设备特点
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- 全自动化控制
- 支持CST IN，CST OUT，工艺稳定性良好。
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- 模块化设计
- 集成独立镀膜腔体和活化加压功能，在提升产能的同时优化设备空间利用率。
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- 高度集成的对准方式
- 对准模块及光学系统尺寸紧凑，集成度高。
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- 高适配性
- 通过更换靶材，可灵活实现键合中间层调控设计。
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸4-12 inch
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适配材料Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Glass, etc.
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产能≥6 pairs/h
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上料模式Cassette
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加压系统最大压力100kN
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独立溅射腔可选
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靶材数量2
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对准方式及精度边缘对准精度：±50 μm；Mark对准精度：±1 μm键合强度标准型：Si-Si≥1.5 J/m²@RT
增强型：SiO₂-SiO₂≥2 J/m²@RT
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- 022-59863071
邮箱：sales@isaber-s.com
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