采用超高真空离子束轰击技术活化材料表面，无需加热或退火即可实现牢固共价键。键合强度高，支持异质材料（如SiC、Ga₂O₃、金刚石）键合，无热应力、无界面氧化层。应用领域涵盖复合衬底、MEMS、高散热需求的异质集成、多节太阳能电池、光学晶体集成、柔性电子等。
采用等离子体活化和水洗甩干在晶圆表面形成高密度羟基（-OH），在室温下通过范德华力进行预键合，然后进行退火形成高强度键合以及Cu-Cu互联。应用领域涵盖复合衬底（POI、SOI），InP/GaAs和SiO2异质集成，MEMS领域晶圆级封盖，3D堆叠图像传感器、存储器、Micro-LED的高密度互联。
通过加热和加压将两个晶圆连接在一起，超高的压力和温度控制精度、均匀度确保键合质量，可实现金属/共晶以及胶材键合。兼容阳极键合功能，可实现玻璃和Si片的永久键合。快速升降温能力大大提高生产效率。应用领域涵盖MEMS、光电器件的金属层键合及玻璃封帽。
通过键合胶将载片和器件晶圆连接，对器件晶圆进行背面工艺（如减薄）后，通过加热滑移或激光扫描的方式进行解键合。支持3μm以内TTV、高耐温以及超薄晶圆解键合。应用领域涵盖先进封装（扇出型封装、2.5D和3D集成），射频，功率，MEMS及光电子器件。
青禾晶元工艺代工平台集工艺加工、动力及辅助设施于一体，拥有十级和百级洁净间，占地超2000平米，配备百余台国际最先进设备，拥有50余名专业工程师。平台以H-cut、减薄键合路线工艺为基础，专注半导体及泛半导体材料的异质集成，覆盖4/6/8英寸全尺寸晶圆加工需求，提供高定制化服务、具备完备工艺与稳定质量，助力科研与企业突破芯片研发瓶颈。
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