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集团资讯2025-12-05
- 喜讯 | 突破热损伤困局！青禾晶元常温键合设备获颁行业年度优秀产品
12月4日，在行家说三代半年度盛典上，青禾晶元SAB6110全自动超高真空常温键合设备，凭借其颠覆性的工艺创新与卓越性能，成功斩获 “2025第三代半导体设备年度优秀产品奖”。
这一荣誉不仅是对技术先进性的表彰，也是对其市场表现的充分肯定。 目前，青禾晶元常温键合设备已在市场上建立起显著的领先优势，获得国内众多先进产线的广泛应用。在此基础之上，设备已实现稳定量产，并成功进入多家国际主流半导体制造商的先进产线。这标志着国产高端核心装备不仅获得了国内市场的充分验证，更在技术竞争力和商业成熟度上赢得了国际层面的高度认可，达到了全球一流水准。
直击痛点
为何第三代半导体需要“常温键合”
传统键合工艺中的高温环节，正是制约第三代半导体（如SiC、GaN）异质集成与先进封装的关键瓶颈。它易导致材料热应力损伤、界面氧化污染，限制了不同材料的兼容性。
青禾晶元SAB6110设备，正是为破解这些核心挑战而生。它摒弃了传统热路径，以“超高真空” + “表面活化” + “常温键合” 的创新组合，开辟了一条全新的技术方向。
技术核心
揭秘SAB6110的“冷”键合之道
设备的核心工艺，在于两个精密衔接的步骤：
原子级洁净活化：在≤5E-6Pa的超高真空环境中，通过高速粒子束轰击晶圆表面，彻底剥离氧化层与污染物，实现材料表面的原子级洁净与活化。
常温精准键合：随后，在室温环境下对两片活化的晶圆精准施压，使其表面原子紧密接触，直接形成牢固的化学键，实现原子尺度的永久结合。
四大优势
定义键合新标准
这一革命性工艺，为产业带来了实实在在的突破性优势：
高洁净界面，高键合强度：超高真空环境结合表面活化技术，实现＞2J/m²的牢固键合。
无热应力与热损伤：室温键合工艺，完美保护热失配材料与精密器件。
适配异质材料键合：突破材料晶格失配限制，成功实现Si、SiC、GaN等多种材料的异质集成。
高精度，高产能：全自动上料与≤±1μm高精度对准，兼顾效率与精度。
坚定技术路径
深耕异质集成未来
从技术创新到市场引领，青禾晶元已稳步迈入国际舞台。这份成就，源于我们对 “异质集成”核心技术的长期深耕与持续突破。未来，我们将继续聚焦于异质集成这一前沿领域，以更先进的工艺、更可靠的装备与更完善的解决方案，坚定不移地推动材料与芯片的原子级融合创新，助力全球半导体产业开拓更广阔的性能边界与应用未来。
