- 解决方案概述
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针对2.5D/3D封装中的翘曲、助焊剂残留及细间距互连问题，青禾晶元提供两大核心模块：临时键合/解键合——解决超薄晶圆支撑与分离；Fluxless TCB——氢自由基原位还原，省去助焊剂，实现高精度互连。
- 核心解决方案
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针对2.5D/3D封装中的翘曲、助焊剂残留及细间距互连问题，青禾晶元提供两大核心模块：临时键合/解键合——解决超薄晶圆支撑与分离；Fluxless TCB——氢自由基原位还原，省去助焊剂，实现高精度互连。
- 核心工艺一：
- Fluxless TCB
- 氢自由基原位还原技术，省去涂覆/清洗步骤
- 避免助焊剂残留，提升可靠性
- 支持大尺寸芯片、细间距键合
- 可实现Cu-Cu直接键合
- 2-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- ±0.5%
- 控压精度
- 2-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- WPH≥6
- 兼容晶圆尺寸
- SAB6100-半自动
- 超高真空常温键合设备
- 核心工艺二：
- 临时键合/解键合
- 氢自由基原位还原技术，省去涂覆/清洗步骤
- 避免助焊剂残留，提升可靠性
- 支持大尺寸芯片、细间距键合
- 可实现Cu-Cu直接键合
- 2-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- ±0.5%
- 控压精度
- 2-12寸
- 兼容晶圆尺寸
- WPH≥6
- 兼容晶圆尺寸
- SAB6100-半自动
- 超高真空常温键合设备
- 核心优势
- 临时键合全流程
- 设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- 临时键合全流程
- 设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- 临时键合全流程
- 设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- 临时键合全流程
- 设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- 应用场景
- CoWoS
- HBM
- Chiplet
- 3D SoIC
- 晶圆级封装
- 2.5D中介层
