一站式整线设计
- 整线解决方案 · 从设备到量产植入
- 关键核心设备自研自产、依据需求定制设计核心制程设备、统筹配套设备甄选对接，覆盖离子注入→键合→超原子束Trim→清洗→氧化/多晶→裂片/退火，完整工艺闭环。
工艺赋能：H-CUT工艺路线 / GRD+TRIM工艺路线 · 量产植入 · 技术迭代
- 清洗设备
- 专为2-12英寸硅片及化合物半导体衬底设计的高精密湿法清洗设备，在独立密闭腔体内单次处理一片晶圆。核心配置PVA Brush（高吸湿、高弹性、耐磨防静电）与Mega-sonic喷嘴（微射流效应高效去除非纳米颗粒，低损伤），结合摆臂自定义扫描，实现高均匀性清洗与干燥，是保障键合、刻蚀等前道良率的关键装备。
- 键合设备
- 超高真空常温键合设备（<5E-6 Pa）通过氮原子/离子轰击去除氧化膜，溅射沉积纳米薄膜，常温下实现原子级牢固键合。集成活化加压设计，适配SiC、POI、柔性电子等多材料异质集成。 亲水性键合经等离子体活化形成羟基（-OH），室温预键合后退火，形成高强度键合及Cu-Cu互联，应用于POI/SOI复合衬底、异质集成、MEMS封盖及3D堆叠互联。
- 关联测试设备
- 全自动平坦度测试仪采用激光干涉法，非接触式测量晶圆TTV/TIR及翘曲度，保障键合面对应精度；超声波显微镜利用高频超声穿透扫描，无损检测键合界面分层、空洞等内部缺陷；全自动膜厚测量仪基于反射式光谱技术，精准监控膜层厚度与均匀性。三者联动，全面把关键合质量。
- 超原子束Trim
- 基于气体超原子束技术，实现低损伤、原子级表面平坦化刻蚀。利用横向溅射与高去除速率，精准修正晶圆表面膜厚不均，特别适用于SAW/BAW滤波器频率校正及表面改性，提升器件性能与一致性。
- 氧化炉
- 专为干氧/湿氧氧化工艺设计，用于生长高质量SiO₂层。采用立式五段温区与串级PID控制，兼容非透明/透明片，单批次膜厚最高可达1.2μm，具备优异的厚氧生长能力。适用于栅氧化层、隔离层、牺牲层等，是器件绝缘与掺杂阻挡的关键设备。
- 离子注入
- 专为6/8英寸晶圆掺杂工艺设计。采用金属离子源与质量分析磁场，实现H+等离子注入。支持多片高效注入，剂量均匀性≤0.3%，兼容350-700μm厚度多种材料，确保高产能与注入稳定性。
工艺路线 & 量产植入
设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- H-CUT 工艺路线实现200-600nm（LN）、200-1000nm（LT）单晶薄膜与硅基衬底结合，LN/LT & BOX膜厚±1%以内。
- GRD+TRIM 工艺路线高精度表面处理，保障键合界面完美兼容。
工艺调试 & 量产植入 & 技术迭代，从实验室到FAB全程陪跑。
应用场景全覆盖
- 新建材料量产产线
- 已有产线扩建升级
- 高校/科研机构实验室
- 新材料中试线
- 为什么选择青禾晶元整线方案？
- 我们交付的不是一台设备，而是一条“按材料调好、按工艺配好、按产能验证好”的量产线。
整线交付，做不出产品我们负责。
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- 材料领先
- LTOI / LNOI / SiC 复合衬底性能比肩国际，已在头部客户端验证。
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- 设备自主可控
- 关键核心设备自研自产，加工设备定制甄选，保障供应链安全与交付周期。
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- 整线工艺耦合
- 前后工序设备深度耦合，告别自行拼凑的匹配周期长、选型失误、试错成本高。
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- 工艺成熟
- 全流程工艺验证，膜厚控制精度 ±1% 以内，支撑量产稳定输出。
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- 产线高效部署
- 设备交期短、工艺拉通快，建线周期大幅压缩，助力客户加速量产变现。
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- 专利布局 + 团队专业
- 自主知识产权体系，有效规避技术封锁；三大验证推演，闭环落地保障。
天津先进键合材料研发及生产线
