一站式整线设计
- 整线解决方案 · 从设备到量产植入
- 核心设备自主研发，加工设备以订制扼选。覆盖清洗→离子注入→键合→超原子束Trim→氧化/多 晶→裂片/退火，完整工艺闭环。
工艺闭环：H-CUT工艺路线 & GRD+TRIM工艺路线 · 量产植入 · 技术迭代
工艺路线 & 量产植入
设备 + 材料 + 工艺配套，快速导入量产
- H-CUT 工艺路线实现200-600nm单晶薄膜与硅基衬底结合，LN & BOX键膜量±1‰以内。
- GRD+TRIM 工艺路线高精度表面处理，保障键合界面完美释合。
工艺调试 & 量产植入 & 技术迭代，从实验室到AB全程陪跑。
应用场景全覆盖
- 新建材料厂产线
- 已有产线扩建升级
- 高校与科研机构实验室
- 新材料中试线
- 为什么选择青禾晶元整线方案？
- 我们交付的不是一台设备，而是一条“按材料调好、按工艺配好、按产能验证好”的量产线。
整线交付，做不出产品我们负责。
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- 材料领先
- LTOI / LNOI / SiC 复合衬底性能批量国际，已在头部客户验证。
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- 设备自主可控
- 关键核心设备自研自产，加工设备定制甄选，保障供应链安全与交付周期。
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- 整线工艺耦合
- 前后工序设备深度耦合，告别自行拼凑的匹配周期长、选型失误、试错成本高。
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- 工艺成熟
- 全流程工艺验证，膜厚控制精度 ±1% 以内，支撑量产稳定输出。
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- 材料领先
- SiC 衬底高质量回收 50 次，LN/LT 回收工艺，大幅降低材料成本。
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- 专利布局 + 团队专业
- 自主知识产权体系，有效规避技术封锁；三大验证推演，闭环落地保障。
天津键合代工量产线
